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P2N2222AG中文资料

P2N2222AG图片

P2N2222AG外观图

  • 大小:165KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:40V; Current Ic Continuous a Max:600mA; Voltage, Vce Sat Max:1V; Power Dissipation:625mW; Min Hfe:75; ft, Typ:300MHz; Case Style:TO-92; Termination Type:Through Hole
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):10nA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大:625mW
  • 频率 - 转换:300MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装:TO-92-3
  • 包装:散装
  • 其它名称:P2N2222AGOS

P2N2222AG供应商

更新时间:2022-12-31 14:42:33
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